دائرة المجمع المشترك The Common Collector (CC) Configuration
فى هذه الدائرة يكون المجمع مشترك أو متصل بالأرضى من خلال مصدر القدرة . يتم توصيل إشارة الدخل مباشرة إلى القاعدة بينما يتم أخذ الخرج من حمل المشع كما هو موضح بالشكل التالى . هذا النوع من الدوائر شائع الاستخدام باسم "دائرة تابع الجهد"Voltage Follower أو "دائرة تابع المشع"Emitter Follower . دائرة تابع المشع مفيدة جدا فى تطبيقات عمل موائمة للمعاوقة impedance matching بسبب أن لها "معاوقة الدخل المرتفعة جدا" , فى مدى مئات الآلاف من الأوم , بينما لها "معاوقة خرج منخفضة نسبيا" .
دائرة المشع المشترك لها كسب تيار تقريا يساوى قيمة بيتا β للترانزستور نفسه . فى دائرة المجمع المشترك تكون مقاومة الحمل على التوالى مع المشع ومن ثم يكون تيار الحمل يساوى تيار المشع . ونظرا لأن تيار المشع هو تجميع لتيار المجمع و تيار القاعدة ويعطى كسب التيار لهذه الدائرة بالعلاقة :
هذه الدائرة غير عاكسة أى أن جهود إشارة الدخل Vin والخرج Vout تكون فى نفس الوجه in-phase . هذه الدائرة لها "كسب جهد" دائما أقل من الوحدة . مقاومة الحمل تستقبل كل من تيار القاعدة وتيار المجمع لتعطى كسب تيار كبير (كما فى دائرة المشع المشترك) ومن ثم فهى توفر تكبير جيد للتيار مع كسب جهد ضعيف.
تلخيص للترانزستور ثنائى القطبية Bipolar Transistor Summary
يمكن تلخيص سلوك الترانزستور ثنائى القطبية فى كل من الدوائر السابقة : يختلف السلوك والخصائص من حيث معاوقة الدخل , ومعاوقة الخرج والكسب سواء فى الجهد أو فى التيار أو فى القدرة , ويمكن تلخيص ذلك فيما يلى :
خصائص الترانزستور ثنائى القطبية Bipolar Transistor Characteristics
الخصائص الاستاتيكية للترانزستور ثنائى القطبية يمكن تقسميها إلى المجموعات الرئيسية التالية :
الجدول التالى يبين خصائص الدوائر المختلفة :
القادم :
نتناول بالتفصيل استخدام الترانزستور NPN كمكبر بدائرة المشع المشترك لأنه الأكثر استخداما بسبب مرونته والكسب المرتفع . سوف نتعرف على منحنيات خصائص الخرج المرتبطة بدوائر المكبر كدالة (علاقة) بين تيار المجمع وتيار القاعدة .
مواقع النشر (المفضلة)