أخي العزيز مناف

لك كل التحية علي هذا العمل الرائع والجهد الكبير

ومع أنني لا تستهويني عادة فيزياء الجوامد بشكل كبير إلا أن موضوعك كان يتسم بالوضوح والبساطة وغزارة المعلومات في آن واحد

وقد شدني هذا الموضوع بالفعل لقرائته وهو من المواضيح الجيدة كعلم التي قرأتها، لذا ألقيت عليه نظرة سريعةز

لذا احييك علي هذا الأداء وأسأل الله لك التوفيق في هذا البحث

وأري أن الموضوع بالفعل جيد، ولكني لاحظت أن الملف تقريباً هو بروفة للملف الأصلي الذي تعده

حيث أشرت إلي وجود مخططات ودوال ولكنك لم تضعها وفي نفس الوقت لم تقم بعملية تنسيق الملف.

وقد لاحظت بعض الأشياء التي أعتبرها مجرد أخطاء مطبعية في الملف

بالنسبة لمعادلات الأكسدة الجافة والمبللة أرجو أن يكتب رمز السيليكون Si بدلا من SI .

في الصفحة الخامسة ذكرت التالي:

( يتفاعل أكسيد الفسفور مع السيليكون محرراً ذرات الفسفور عند السطح وبذلك تأخذ ذرات السيليكون طريقها إلي داخل الرقائق )

أعتقد حسب فهمي أنك تتكلم عن رقائق السيليكون لذا قد يكون قصدك أن من يغوص في الرقائق هو ذرات الفسفور وليس السيليكون - أم أنني لم أفهم تلك النقطة جيداً.

وما عدا ذلك - حسب قراءتي السريعة - فإن الموضوع جيد جداً

وأسأل الله لك التوفيق

مع وافر احترامي وتقديري